当前位置:顶点小说 > 科幻小说 > 拿命搞科研,全网跪求我休息 > 第一百零三章  压力还在光刻机上

第一百零三章  压力还在光刻机上

<< 上一章 返回目录 下一章 >>
    “起了。”王宏叫醒林禹,“走,吃早饭去。”

    林禹迷迷瞪瞪地穿好衣服,跑到盥洗室用冷水拍了一下脸,瞬间清醒过来。

    洗漱完毕,林禹拿起U盘,“走。”

    “想吃什么?”

    “两份煎饼果子。”林禹有点想念果蓖儿的都那种酥脆感了。

    “你不是上京人嘛?怎么爱吃这个?”

    “你管那么多干嘛?”

    两个人边斗嘴一边走进食堂。

    “我想去你们发动机组看看。”林禹接过阿姨递过来的两份煎饼果子。

    “你真有想法了?”王宏盯着林禹想要从他脸上看出花来,转头跟阿姨要了一份豆浆油条。

    “还没有,但是我觉得以后会有。”

    “你是特聘顾问,应该可以和苏总申请。”

    “等我把我本职的材料搞定我就去看看。”

    “我记得你说过你是要做氧化镓材料,但是氧化镓不应该是半导体材料吗?怎么会想到去做烧蚀材料呢?”王宏很疑惑,他昨天就询问了材料组的研究员有关氧化镓这种材料。

    “氧化镓的熔点在1740摄氏度,它的耐热度已经算不错了,估计是想要我看看能否找到一种和氧化镓相匹配的复合材料基体,从而找到一种新型的烧蚀材料,或者说以氧化镓为基体添加不同的材料制成一种新烧蚀材料。”

    “就算不能作为烧蚀材料,作为一种极耐高温的半导体材料,用来做控制航天火箭的集成电路芯片也可以。”

    林禹顿了顿,说出他在系统实验室里的结论:“氧化镓可以作为一种陶瓷基材料,我觉得是有很大的利用空间。”

    是的,林禹已经根据系统的资料推断了出来,氧化镓是可以作为喷涂在一些关键部位的涂料而存在的。

    但是对于它是否能够作为隔热保护层的烧蚀材料,这一点还需要实验进一步的验证。

    而且实验室里也没法模拟出超高温环境,就算是大毛国和米国的顶配实验室也没做到4000摄氏度高温的环境,所以碳氧化铪的高温试验一直停留在3600摄氏度左右,而碳氧化铪这种材料的理论熔点和可承受温度在4200摄氏度左右。

    “那就祝你旗开得胜!”王宏端起豆浆举了一下。

    吃过早餐,两个人来到实验楼,林禹打算先去找苏院士,把昨天熬夜搞出来的论文交上去,而王宏则是直接到他所在的小组过去。

    “苏院士”,林禹来得还挺早,苏院士正在办公室里喝茶。

    “哦,你来了,快坐。”苏院士示意林禹坐下,“你的设计我看了,很棒,我已经交给负责人按照你的设计去做了。”

    “苏院士,我昨天把论文做了出来,您看看。”林禹拿出拷贝了论文的U盘。

    “哦?这么快?”苏院士有些惊讶,“看来你对于昨天的结果早就成竹在胸啊!”

    “差不多吧,毕竟材料方面是我的老本行,稍微改变一点材料的组合构成方式,这点我还是很有心得的。”

    那可不得有心得嘛,在系统实验室里搞了整整半个多月,全在做纸尿裤了。

    “那么,接下来你想要做什么?”苏院士打开电脑,插入林禹的U盘,打开了一个名为“林禹论文”的文件夹,这里只是放着一个【新一代航天尿收集装置设计】的word文档。

    “我决定做材料,毕竟招我过来的时候不就是为了我研究的氧化镓材料吗?这可是苏院士你说的。”

    “对,我们希望你能研究研究氧化镓在航天方面的作用。”苏院士迅速翻看着林禹的论文。

    “我已经有想法了”,林禹目光灼灼。

    “嗯”,苏院士偏过头看着林禹,“你说说。”

    “氧化镓本身是一种半导体材料,没有什么比它作为集成电路更好的事情了。”

    “氧化镓本身就有着优秀的抗热和抗腐蚀能力,特别是它还是第四代半导体材料,具有着优秀的导电性和发光性。由于氧化镓,当然这里指的是是三氧化二镓,它具有独特的物理结构,有着良好的热稳定性和化学稳定性,所以作为火箭内部主控芯片是不错的。”

    “如果是想要作为烧蚀材料的话,我暂时没有想法,这个还得一个一个材料去试,如果是作为隔热涂料,我觉得也是可以的,毕竟在我做出实验之前,它就一直被用作镓基半导体材料的绝缘层。”

    苏院士点点头,“你已经有了想法,这很好,但是我们还要注意一点。”

    “什么?”林禹思索了一下,自己说得没什么问题啊。

    “我们国家的光刻机一直被国外卡脖子,所以集成电路的晶圆,我们没办法做得太细,特别是西欧的那个风车国,他们因为西欧联盟的原因,并不向我们出售最新的光刻机。”

    “你知道上个月,他们已经突破了0.78nm的光刻机研制技术。”

    林禹沉默了,光刻机卡脖子的问题从上个世纪到如今一直没能得到解决,国外对于这一项技术掌握十分严格。

    两年前风车国的ALSM公司就已经突破了1nm的光刻机,这两年里华夏科研工作者也是奋起直追,从77nm一直赶到26nm,实现了巨大的飞跃,但是这方面华夏起步晚,技术落后,所以一直被米国技术封锁。

    特别是在林禹完成了氧化镓的研究之后,国外的一些研究所也逐渐发表关于氧化镓的研究论文,而且米国已经对于制造芯片所必需的EDA或ECAD软件、氧化镓和金刚石等半导体材料、压力增益燃烧等四项技术实施了出口禁令,企图对华夏进行封锁管制。

    而林禹对于氧化镓的研究使得国内提早开始重视氧化镓这一材料,而且国内也有不少科研机构对于氧化镓也提出了极大的重视,所以林禹的论文一经发表,相应的氧化镓生产线已经提上了日程。

    因为林禹的研究论文是挂靠在徐颖的研究项目名下,所以有关的研究都是由他交给徐颖应付的。

    有了提前在氧化镓材料方面的部署,华夏不怕米国对于氧化镓材料的出口管制。
<< 上一章 返回目录 下一章 >>
添加书签